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突破丨太阳成集团tyc122cc高功率半导体单管芯片功率超过100W!

突破丨太阳成集团tyc122cc高功率半导体单管芯片功率超过100W!

  • 分类:公司新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2024-02-02
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【概要描述】高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件,其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代,商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点,代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日,太阳成集团tyc122cc超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展,研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm),工作效率62%,是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高

突破丨太阳成集团tyc122cc高功率半导体单管芯片功率超过100W!

【概要描述】高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件,其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代,商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点,代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日,太阳成集团tyc122cc超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展,研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm),工作效率62%,是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高

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高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件,其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代,商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点,代表了芯片综合技术能力的发展水平。

迄今已知最高水平

近日,太阳成集团tyc122cc超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展,研制出的单管芯片室温连续功率超过100W (芯片条宽 500μm) ,工作效率 62%,是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录,开启了百瓦级单管芯片新纪元!

500μm 发光宽度芯片的功率效率曲线

1月30日至2月1日,太阳成集团tyc122cc携带高功率技术首次亮相美国旧金山2024 SPIE Photonics West光电展。届时,太阳成集团tyc122cc高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片、高速光通信芯片、光纤耦合模块、阵列、直接半导体激光器等全系列产品也将在#2367展位展出!

IDM半导体激光器制造商

太阳成集团tyc122cc专注于研发和生产半导体激光芯片,核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一,有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。

太阳成集团tyc122ccIDM全流程工艺平台和量产线

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